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    MLCC失效模式

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    ?基本概念:電子元器件主要分為有源和無(wú)源器件, 無(wú)源器件以電阻、電容和電感為主。其中,多層陶瓷電容器(MLCC:Mltiplayer Ceramic Chip Capacitors) 是三大無(wú)源電子元器件中產(chǎn)值占比最多的元器件。MLCC 憑借小尺寸、大比容和高頻, 以及寬頻性能優(yōu)異、低等效串聯(lián)電阻、適用表面貼裝和高可靠性等優(yōu)點(diǎn), 占據了大部分的電容器市場(chǎng)份額。

    隨著(zhù)MLCC制造工藝和技術(shù)的不斷發(fā)展, MLCC 對質(zhì)量可靠性的要求也在不斷地提高。隨著(zhù)5G、新能源汽車(chē)和通信等行業(yè)對集成電路的需求增大, MLCC 的市場(chǎng)規模將會(huì )進(jìn)一步地提升, 技術(shù)發(fā)展也會(huì )更加的多元和多樣化。

    結構特點(diǎn):片式多層陶瓷電容整體的結構如圖1 所示的三明治結構,且由三部分組成A:陶瓷介質(zhì)B:內電極和C:端電極構成,其中端電極一般為三層結構,分別為外部電極( 與內部電極相連接,引出容量,一般為Cu 或Ag、阻擋層Ni 鍍層,起到熱阻擋作用,可焊的Ni 層能夠避免焊接時(shí)Sn 層熔落) 和焊接層( Sn 鍍層,提供焊接金屬層。MLCC 的物理特性接近陶瓷材料的特性,具有機械強度低、易碎等特點(diǎn)。

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    圖1 MLCC 結構示意圖


    工藝流程:MLCC 的制作工藝復雜,大致流程如下:

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    失效模式:多層瓷介電容器失效的機理和失效的原因很多,單一失效模式也有可能對應著(zhù)多種的失效機理和原因,常見(jiàn)的各種MLCC 電容的失效機理如下。

    介質(zhì)層存在孔洞、分層、電極結瘤和電極短路陶瓷介質(zhì)內的空洞可能是因為介質(zhì)層內部含有水汽或其它雜質(zhì)離子,在MLCC 在電路中正常施加工作電壓時(shí),因為雜質(zhì)和水汽的存在降低此位置的電壓的耐受程度,導致施加正常的電壓都會(huì )導致此位置發(fā)生過(guò)電擊穿的現象;電極結瘤是因為生產(chǎn)工藝不穩定導致出現部分凸起,凸起的地方位置介質(zhì)層的厚度明顯變薄,導致電極的耐壓變低,正常施加工作電壓在MLCC 的電極兩端可能也會(huì )出現擊穿現象。

    MLCC 電容介質(zhì)層孔洞、電極結瘤、電極互聯(lián)和介質(zhì)層分層均為電容本身工藝缺陷引起的失效,類(lèi)似現象可直接判定為電容質(zhì)量事故。

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    圖3 MLCC失效樣品形貌


    熱應力導致的裂紋MLCC 電容在實(shí)際產(chǎn)品的使用中很難避免出現溫度變化,溫度變化就會(huì )出現電容熱量的變化,比如電容的兩端受熱不均,就出現熱脹冷縮不均勻,電容在不同的熱量的的地方發(fā)生不一致的形變,這就是熱應力不同,會(huì )導致MLCC 內部產(chǎn)生裂紋。熱應力產(chǎn)生的裂紋基本上分布區域為MLCC外部陶瓷體靠近端電極的兩端,常見(jiàn)失效形貌為貫穿陶瓷體的裂紋。

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    圖4 介質(zhì)層開(kāi)裂形貌

     

    通過(guò)在微觀(guān)下對MLCC表面形貌的觀(guān)察,可以獲得樣品具體失效點(diǎn)的位置和大小,從而分析產(chǎn)生的原因。對比金相和掃描電鏡(SEM)圖片,SEM具有高分辨,大景深,多襯度等多個(gè)優(yōu)勢,可應用于MLCC原材料檢測、常規檢測、研發(fā)新機種和可焊性表征等多種應用場(chǎng)景。

    掃描電鏡作為材料微觀(guān)結構表征的利器,已經(jīng)成為MLCC制造商必不可少的分析工具。賽默飛超高分辨場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡Apreo 2兼具高質(zhì)量成像和多功能分析性能于一體,采用雙引擎技術(shù),超低電壓下可直接分析不導電樣品,且無(wú)需做噴鍍處理。如下圖5所示,直接將MLCC樣品置于A(yíng)preo 2電鏡中,憑借快捷的FLASH功能,設備可自動(dòng)執行精細調節動(dòng)作,只需移動(dòng)幾次鼠標,就可完成必要的合軸對中、消像散和圖像聚焦校正,即使電鏡初學(xué)者也能充分發(fā)揮Apreo 2的最佳性能。

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    圖5 MLCC內電極和外電極表面形貌

     

     

    參考資料:
    1. 任艷等. MLCC 產(chǎn)業(yè)現狀及質(zhì)量分析.
    2. 王天午. MLCC 電容失效分析總結.
    3. 田述仁,陸亨. MLCC端電極孔洞問(wèn)題分析.

     

     

     

     

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